音叉晶体,音响晶振,国产晶振

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产品图片	标题描述	频率	尺寸
	DST310S水晶振动子,日本大真空晶体,1TJF080DP1AA00K晶振 32.768K时钟晶体具有小型,薄型,轻型的贴片晶振表面音叉型晶体振荡器,产品具有优良的耐热性,耐环境特性,可发挥晶振优良的电气特性,符合RoHS规定,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,金属外壳的封装使得产品在封装时能发挥比陶瓷振荡器外壳更好的耐冲击性.	32.768KHZ	3.2*1.5mm
	KDS晶振,DST310S石英谐振器,1TJF090DP1AA00L晶振 32.768K时钟晶体具有小型,薄型,轻型的贴片晶振表面音叉型晶体振荡器,产品具有优良的耐热性,耐环境特性,可发挥晶振优良的电气特性,符合RoHS规定,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,金属外壳的封装使得产品在封装时能发挥比陶瓷振荡器外壳更好的耐冲击性.	32.768KHZ	3.2*1.5mm
	DST310S时钟晶体,KDS晶振,1TJF125DP1AI009谐振器 32.768K时钟晶体具有小型,薄型,轻型的贴片晶振表面音叉型晶体振荡器,产品具有优良的耐热性,耐环境特性,可发挥晶振优良的电气特性,符合RoHS规定,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,金属外壳的封装使得产品在封装时能发挥比陶瓷振荡器外壳更好的耐冲击性.	32.768KHZ	3.2*1.5mm
	大真空晶振,DST310S音叉晶体,1TJF0SPDP1AI008晶振 32.768K时钟晶体具有小型,薄型,轻型的贴片晶振表面音叉型晶体振荡器,产品具有优良的耐热性,耐环境特性,可发挥晶振优良的电气特性,符合RoHS规定,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,金属外壳的封装使得产品在封装时能发挥比陶瓷振荡器外壳更好的耐冲击性.	32.768KHZ	3.2*1.5mm
	DST310S石英晶体,日本KDS晶振,1TJF090DP1AI007晶振 32.768K时钟晶体具有小型,薄型,轻型的贴片晶振表面音叉型晶体振荡器,产品具有优良的耐热性,耐环境特性,可发挥晶振优良的电气特性,符合RoHS规定,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,金属外壳的封装使得产品在封装时能发挥比陶瓷振荡器外壳更好的耐冲击性.	32.768KHZ	3.2*1.5mm
	NDK晶振,压控晶振,NV3225SA晶振,3225晶振有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.	1.25~80MHZ	3.2*2.5mm
	NDK晶振,压控晶振,NV2520SA晶振,2520CMOS输出晶振智能手机2520晶振,产品具有高精度小型的表面贴片型石英晶体振荡器,适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等数码产品类别,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅工作的高温回流温度曲线要求.	1.25~80MHZ	2.5*2.0mm
	NDK晶振,有源晶振,2735N晶振,石英贴片晶振贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,卫星系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.	2.5~70MHZ	5.0*3.2mm
	NDK晶振,有源晶振,2725T晶振,SPXO晶振智能手机5032晶振,产品具有高精度小型的表面贴片型石英晶体振荡器,适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等数码产品类别,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅工作的高温回流温度曲线要求.	2.5~125MHZ	5.0*3.2mm
	NDK晶振,有源晶振,NZ2520SJ晶振,石英晶振贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,卫星系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.	5~40MHZ	2.5*2.0mm
	NDK晶振,有源晶振,NZ2016SJ晶振,贴片晶振石英晶振具有适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC+1.8V±0.1V to+3.2V±0.1V )高度:高1.0 mm,体积:0.007 cm3,重量:0.024g,小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.	6~40MHZ	2.0*1.6mm
	NDK晶振,有源晶振,NZ2520SDA晶振,OSC晶体振荡器有源晶振,是只石英晶体振荡器本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.	20~50MHZ	2.5*2.0mm
	NDK晶振,有源晶振,NZ3225SD晶振,3225CMOS晶振小型贴片有源晶振,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,贴片高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和各式IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等数码领域,符合RoHS/无铅.	1.5~80MHZ	3.2*2.5mm
	NDK晶振,有源晶振,NZ2520SD晶振,2520低相位晶振贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,卫星系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.	1.5~80MHZ	2.5*2.0mm
	NDK晶振,有源晶振,NZ2016SD晶振,低相位噪声晶振贴片晶振具有适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC+1.8V±0.1V to+3.2V±0.1V )高度:高1.0 mm,体积:0.007 cm3,重量:0.024g,小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.	1.5~60MHZ	2.0*1.6mm
	NDK晶振,有源晶振,NZ2520SEA晶振,钟用晶体振荡器 2520mm体积的石英晶体振荡器,贴片晶振,该产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊盘,及IR回流焊盘(无铅对应),为无铅产品,小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.	2.75~54MHZ	2.5*2.0mm
	NDK晶振,32.768K有源晶振,NZ1612SHB晶振,1.6×1.2mm晶振小型贴片32.768K晶振,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,贴片高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和各式IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等数码领域,符合RoHS/无铅.	32.768KHZ	1.6*1.2mm
	NDK晶振,时钟晶体振荡器,NZ3225SH晶振,3.2×2.5mm晶振贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,卫星系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.	1.5~80MHZ	3.2*2.5mm
	NDK晶振,时钟晶体振荡器,NZ2520SH晶振,贴片有源晶振石英晶振具有适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC+1.8V±0.1V to+3.2V±0.1V )高度:高1.0 mm,体积:0.007 cm3,重量:0.024g,小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.	1.5~170MHZ	2.5*2.0mm
	NDK晶振,时钟晶体振荡器,NZ1612SH晶振,进口OSC晶振有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.	2~80MHZ	1.6×1.2mm