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5G高频的3.46V有源晶体振荡器编码曝光X1G005331000600

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浏览:- 发布日期:2022-09-08 14:59:19【
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爱普生公司是一家具备多元化的制造商,公司自成立以来一直秉持着专业,诚信的经营理念,以帮助全球用户解决在晶体行业所遇到的问题,以此实现自我的价值,并打造专业化的技术团队以及一流的服务团队,开发出优质的进口有源晶振,并在用户洞察上,爱普生并没有止步于只满足消费者当前最迫切的需求,而是将眼光放至更长远的未来,主动承担起社会责任。当今世界中,人类正面临着气候变化、新冠疫情等牵一发而动全身的全球危机,想要成为消费者心中不可或缺的企业,必然要在产品之外给予消费者更多社会价值。5G高频的3.46V有源晶体振荡器编码曝光X1G005331000600

X1G005331000600 27M

爱普生公司生产SG7050VEN晶振,有源晶体振荡器编码X1G005331000600,频率27.000000兆赫,输出WaveLVDS,供电电压3.13至3.46 V,尺寸(长×宽×高)7.00 × 5.00 × 1.70毫米,工作温度-40到+85°C,频率公差±25ppm,额外的OptionsN /,OSC TypeClock OSC,5G将成倍增加通信流量。5G通信网络要求高速还有宽频带,同时把噪音降到最低。这可以通过高频率来实现用于通信设备的低抖动基准时钟。使用上述XO,客户可以输入一个高频率参考(高达500 MHz),具有极低的相位抖动和功率,从基本模式晶体实现优良的相位噪声。

Product Number 爱普生晶振型号 Frequency LxWxH Output Wave Supply Voltage Ope Temperature
X1G005551000100 SG7050EEN 212.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LV-PECL 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G005551000200 SG7050EEN 312.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LV-PECL 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G005561000200 SG7050VEN 312.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G005561000300 SG7050VEN 250.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
Product Number00 Model Frequency LxWxH Output Wave Supply Voltage Ope Temperature
X1G005331000100 SG7050VEN 100.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G005331000200 SG7050VEN 125.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G005331000300 SG7050VEN 156.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G005331000500 SG7050VEN 156.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G005331000600 SG7050VEN 27.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G005331000700 SG7050VEN 50.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G005331000800 SG7050VEN 50.001000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G005331000900 SG7050VEN 156.254000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G005331001000 SG7050VEN 156.253906 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G005331001100 SG7050VEN 125.003125 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G005331001200 SG7050VEN 156.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 105 °C
X1G005331001300 SG7050VEN 130.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G005331001400 SG7050VEN 80.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G005331001500 SG7050VEN 125.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G005331001600 SG7050VEN 60.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G005331100100 SG7050VEN 100.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 2.375 to 2.625 V -40 to 85 °C
5G高频的3.46V有源晶体振荡器编码曝光X1G005331000600,石英晶振荡器体是一种各向异性晶体。 它由以特定方位角切割的薄片制成,然后在晶片的相应表面上涂有银。 安装一对金属块作为极板,构成石英晶体振荡器。 石英晶体可用作振荡电路的原因在于其压电效应。 当在晶片外部的两个板之间添加电场时,晶体将产生机械变形; 相反,当在板之间施加机械力时,将在晶体中产生电场。 这种现象称为压电效应。