要保护X1E000021025516爱普生晶振不会损坏到里面晶片
要保护X1E000021025516爱普生晶振不会损坏到里面晶片
电子产品上用到的晶振是易碎元器件,在晶振的运输保存、焊锡过程中,要怎么处理.
1任何晶体和夹具之间的颗粒或灰层将影响电子接触,而且会产生应力点,从而改变晶体振动的模式,晶振片装好后再一次吹晶振片的表面,去除散落的灰尘.
2同时用蘸有酒精的无尘纸或绸布将爱普生晶振座擦拭干净,组装晶振片之前用吹气球将晶振片、石英晶振座及探头的接触弹簧上可能残留的灰尘吹掉.
3在使用过程中也得保护,新的晶振片使用之前应在中浸泡约1分钟,然后用塑料镊子夹取并用无尘纸或洁净的绸布将水分擦拭干净.
4保证两条引脚的焊锡点不相连,否则也会导致晶体停振
5晶振外壳需要接地时,应该确保外壳和引脚不被意外连通而导致短路.从而导致晶体不起振,
X1E000021025516晶振,爱普生晶振
爱普生晶振编码
长x宽x高
型号
石英晶振频率
负载
频率25°C
频率公差
工作温度范围
ESR最大
驱动电平
X1E000021023916
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
20.000000 MHz
12 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 60 Ω
≤ 200 µW
X1E000021024116
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
40.000000 MHz
15 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
0 to +70 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021024616
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
20.000000 MHz
9 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 60 Ω
≤ 200 µW
X1E000021025316
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
30.000000 MHz
16 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021025516
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
24.000000 MHz
9 pF
+/-10 ppm
+/-15 ppm
-30 to +85 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021025616
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
25.000000 MHz
9 pF
+/-10 ppm
+/-15 ppm
-30 to +85 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021026016
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
20.000000 MHz
18 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 60 Ω
≤ 200 µW
X1E000021026316
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
25.000000 MHz
18 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021026416
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
24.000000 MHz
18 pF
+/-10 ppm
+/-18 ppm
-40 to +85 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021026516
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
48.000000 MHz
12 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021026616
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
40.000000 MHz
18 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021028516
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
19.200000 MHz
12 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 60 Ω
≤ 200 µW
X1E000021029516
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
30.000000 MHz
9 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021030116
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
24.576000 MHz
12 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021031216
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
26.000000 MHz
7 pF
+/-10 ppm
+/-20 ppm
-40 to +85 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021031516
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
25.000000 MHz
18 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021035016
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
26.000000 MHz
9 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +85 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021035216
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
25.000000 MHz
20 pF
+/-10 ppm
+/-18 ppm
-40 to +85 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021035616
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
20.000000 MHz
10 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +70 °C
≤ 60 Ω
≤ 200 µW
X1E000021036316
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
27.000000 MHz
18 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +85 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021036716
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
40.000000 MHz
10 pF
+/-10 ppm
+/-15 ppm
-30 to +85 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021037516
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
16.000000 MHz
9 pF
+/-10 ppm
+/-18 ppm
-40 to +85 °C
≤ 60 Ω
≤ 200 µW
X1E000021037716
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
39.000000 MHz
8 pF
+/-10 ppm
+/-11 ppm
-20 to +85 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021038416
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
27.000000 MHz
11 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021039416
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
37.800000 MHz
8.5 pF
+/-10 ppm
+/-20 ppm
-40 to +85 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
6焊锡之后,要进行清洗,以免绝缘电阻不符合要求.
7在晶振焊锡过程中,其焊锡的温度不宜过高,焊锡时间也不宜过长,防止晶体因此发生内变,而产生不稳定.
8对于需要剪脚的晶振,应该注意机械应力的影响.
9其次对于易碎的日本进口晶振器件要做好防震措施,不宜放在较高的货架上,在使用的过程,也不宜使晶振跌落,一般来说,从高空跌落的晶振不应再次使用.
10晶振的保存方式,首先要考虑其周围的潮湿度,做好防挤压措施,放在干燥通风的地方,使其晶体避免受潮导致其他电气参数发生变化.X1E000021025516晶振,爱普生晶振
