西迪斯进口高品质压控5032晶振315,315LB3I1228T有源晶振

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项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f0	122.88MHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	3.3V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-40℃to +100℃	裸存
工作温度	T_use	G: -20℃to +70℃	请联系我们查看更多资料 http://www.kdscrystal.com/
		H: -40℃to +85℃
		J: -40℃to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
输出电压	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
输入电压	VIL	20 % VCCMax.	ST终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年

西迪斯进口高品质压控5032晶振315,315LB3I1228T有源晶振

315 5032 VCXO

西迪斯进口高品质压控5032晶振315,315LB3I1228T有源晶振

噪音：在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象。

电源：线路电源的线路阻抗应尽可能低。

输出负载：建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方（在20 mm范围之间）。

未用输入终端的处理：未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作。同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加；因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND。

热影响：重复的温度巨大变化可能会降低受损害的温补晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿。必须避免这种情况。

安装：石英贴片晶振的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确。

通电不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作。

西迪斯进口高品质压控5032晶振315,315LB3I1228T有源晶振

西迪斯进口高品质压控5032晶振315,315LB3I1228T有源晶振，CTS晶振公司集团作为“地球内企业”，在保护地球环境方面发挥着领导作用。我们尊重历史、文化和传统的多样性，蓝牙晶振并致力于“CSR经营”和“环境经营”。为取得社会的信任，为推动环境负荷最小化，CTS晶振集团还开展了各种各样的活动。

CTS晶振集团在“制造、使用、有效利用、再利用”这样一个产品生命周期中，努力创造丰富的价值，无源石英晶体给社会带来温馨和安宁，感动和惊喜，同时为减少环境影响，努力做好“防止地球变暖、有效利用资源、对化学物质进行管理”，实现与地球的和谐相处。

CTS晶振集团运用ISO14001环境管理系统进行环境管理，CTS贴片晶振尽最大可能减小业务活动对环境造成的负担，并通过业务发展推进环境改善。

西迪斯进口高品质压控5032晶振315,315LB3I1228T有源晶振

315

315（2）

原厂代码	生产商品牌	型号	类型	频率	输出	电压	频率稳定度
315LB3I1228T	CTS晶振	315	VCXO	122.88MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
315LB3I1228T	CTS晶振	315	VCXO	122.88MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
315LB3I1228T	CTS晶振	315	VCXO	122.88MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
315LB3C1228T	CTS晶振	315	VCXO	122.88MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
315LB5C1000T	CTS晶振	315	VCXO	100MHz	HCMOS	3.3V	±25ppm
315LB5I1000T	CTS晶振	315	VCXO	100MHz	HCMOS	3.3V	±25ppm
315LB6C1000T	CTS晶振	315	VCXO	100MHz	HCMOS	3.3V	±20ppm
315LB5C1228T	CTS晶振	315	VCXO	122.88MHz	HCMOS	3.3V	±25ppm
315LB3C1000T	CTS晶振	315	VCXO	100MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
315LB3C1250T	CTS晶振	315	VCXO	125MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
315LB3I1000T	CTS晶振	315	VCXO	100MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
315LB5C1250T	CTS晶振	315	VCXO	125MHz	HCMOS	3.3V	±25ppm
315LB5I1228T	CTS晶振	315	VCXO	122.88MHz	HCMOS	3.3V	±25ppm
315LB6C1228T	CTS晶振	315	VCXO	122.88MHz	HCMOS	3.3V	±20ppm
315LB3I1250T	CTS晶振	315	VCXO	125MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
315LB5I1250T	CTS晶振	315	VCXO	125MHz	HCMOS	3.3V	±25ppm
315LB6C1250T	CTS晶振	315	VCXO	125MHz	HCMOS	3.3V	±20ppm
315LB5C1536T	CTS晶振	315	VCXO	153.6MHz	HCMOS	3.3V	±25ppm
315LB5I1536T	CTS晶振	315	VCXO	153.6MHz	HCMOS	3.3V	±25ppm
315LB6C1536T	CTS晶振	315	VCXO	153.6MHz	HCMOS	3.3V	±20ppm
315LB3C1536T	CTS晶振	315	VCXO	153.6MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
315LB5C1555T	CTS晶振	315	VCXO	155.52MHz	HCMOS	3.3V	±25ppm
315LB3C1555T	CTS晶振	315	VCXO	155.52MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
315LB3C1562T	CTS晶振	315	VCXO	156.25MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
315LB3I1536T	CTS晶振	315	VCXO	153.6MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
315LB5I1555T	CTS晶振	315	VCXO	155.52MHz	HCMOS	3.3V	±25ppm
315LB6C1555T	CTS晶振	315	VCXO	155.52MHz	HCMOS	3.3V	±20ppm
315LB3I1555T	CTS晶振	315	VCXO	155.52MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
315LB3I1562T	CTS晶振	315	VCXO	156.25MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm