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艾博康高品质的6G常用晶振ABS07W-32.768KHZ-D-1-T支持物联网

2023-06-26 11:34:02 

艾博康高品质的6G常用晶振ABS07W-32.768KHZ-D-1-T支持物联网,物联网市场正以爆炸式的速度增长,为艾博康公司带来新的机会,为了更好满足不用应用程序的需求,艾博康公司针对于物联网产品开发系列优质的产品,主要应用于物联网相位关SMD晶振产品编码ABS07W-32.768KHZ-D-1-T,型号ABS07W,产品特征:极低的电镀负载为3.0pF,非常适合可穿戴设备;无线和物联网应用,同时优化了长时间运行的ESR温度范围,微型3.2x1.5x0.9mmSMD封装,非常适合空间受限设计,可与±10ppm设置公差接缝密封包装,长期可靠,产品应用范围:穿戴,无线模块,物联网(IoT),蓝牙/低功耗蓝牙(BLE),机器对机器(M2M)连接,超低功耗MCU,近场通信(NFC),ISM Band应用,超低功耗、节能MCU等领域。

物联网相关硬件、软件和其他综合解决方案的行业预测为4700亿美元。目前的设备安装基数为154亿台,预计到2020年将超过307亿台。

包括英特尔、ARM、三星和高通在内的主要IC OEM都在积极开发减小工艺几何尺寸至10nm甚至7nm的FinFET架构。

ttu 21

图1:主要晶圆代工半导体制造趋势
英特尔:预计2017年年中生产10nm, 2018/19年生产7nm台积电:2016年开始生产10nm, 2018年开始生产7nm三星:2016年第四季度开始生产10nm,研发7nm ARM:与台积电合作生产10nm,研发7nm

这一行业趋势背后的主要驱动力与总功耗的降低有关,同时提高整体性能。这一努力是为了促进电池供电的终端解决方案(消费、医疗、物联网、工业等)的实际实施,在功能丰富的环境中需要极低的功耗。然而,这些进步极大地影响了传统的时钟晶振电路。

集成时钟方案主要基于世界著名的皮尔斯振荡器配置;图3A-3B描述了一个简化的配置。

tu 23

当低功率操作变得至关重要时,皮尔斯振荡器环路中偏置逆变器放大器级的电流反射镜正在“饿死”放大器。这种方法对逆变器放大器块的跨导有显著影响,进而对闭环振荡器电路的正向增益裕度(GM)产生深远影响。正向增益(GM)与放大器跨导的关系定义如下:

GM = gm / gmcritical (1)

公式中:gm =逆变放大器的跨导,单位为µA/V

Gm(临界)=使放大器保持在线性区域的临界跨导值

对于使用逆变放大器作为增益级的鲁棒振荡,将GM >5.0与最小期望值>3.0作为目标已经是一个成熟的行业实践。对于闭环振荡器电路,gm(critical)定义如下:

gm(critical) = 4 * ESR * (2πF)2 * (C0 + CL)2 (2)

而;ESR=谐振器元件(通常为石英晶体)的有效串联电阻…单位为kΩ或Ω。

F =谐振器元件的谐振频率(在石英晶振晶体的情况下,通常是平行谐振频率@特定电镀负载)…以kHz或MHz为单位C0 =谐振器元件的复合封装和电极电容.......以pF为单位,CL =谐振器元件的镀层负载.......单位为pF。

由式(1)可知,为获得更高的GM值,最好减小GM(临界值)。由式(2)可知,以提高GM值为最终目标,降低三个参数(ESR、C0和CL)的影响至关重要。艾博康高品质的6G常用晶振ABS07W-32.768KHZ-D-1-T支持物联网

欧美进口晶振编码 厂家 型号 系列 频率
ABM10-24.000MHZ-D30-T3 Abracon晶振 ABM10 MHz Crystal 24MHz
ABM10-32.000MHZ-D30-T3 Abracon晶振 ABM10 MHz Crystal 32MHz
ABM10-30.000MHZ-D30-T3 Abracon晶振 ABM10 MHz Crystal 30MHz
ABM10-25.000MHZ-D30-T3 Abracon晶振 ABM10 MHz Crystal 25MHz
ABM10-18.432MHZ-D30-T3 Abracon晶振 ABM10 MHz Crystal 18.432MHz
ABM10-19.200MHZ-D30-T3 Abracon晶振 ABM10 MHz Crystal 19.2MHz
ABM10-22.1184MHZ-D30-T3 Abracon晶振 ABM10 MHz Crystal 22.1184MHz
ABM10-26.000MHZ-D30-T3 Abracon晶振 ABM10 MHz Crystal 26MHz
ABM11-20.000MHZ-D2X-T3 Abracon晶振 ABM11 MHz Crystal 20MHz
ABM10-16.3676MHZ-D30-T3 Abracon晶振 ABM10 MHz Crystal 16.3676MHz
ABM10-16.384MHZ-D30-T3 Abracon晶振 ABM10 MHz Crystal 16.384MHz
ABM10-20.000MHZ-D30-T3 Abracon晶振 ABM10 MHz Crystal 20MHz
ABM10-24.576MHZ-D30-T3 Abracon晶振 ABM10 MHz Crystal 24.576MHz
ABLSG-18.000MHZ-D2Y-T Abracon晶振 ABLSG MHz Crystal 18MHz
ABLSG-27.000MHZ-D2Y-F-T Abracon晶振 ABLSG MHz Crystal 27MHz
ABLSG-30.000MHZ-D2Y-F-T Abracon晶振 ABLSG MHz Crystal 30MHz
ABLSG-10.240MHZ-D2Y-T Abracon晶振 ABLSG MHz Crystal 10.24MHz
ABLS-13.225625MHZ-A2Y-T Abracon晶振 ABLS MHz Crystal 13.225625MHz
ABLSG-11.0592MHZ-D2Y-T Abracon晶振 ABLSG MHz Crystal 11.0592MHz
ABLSG-18.432MHZ-D2Y-T Abracon晶振 ABLSG MHz Crystal 18.432MHz
ABLSG-6.7458MHZ-D2Y-T Abracon晶振 ABLSG MHz Crystal 6.7458MHz
ABLSG-9.216MHZ-D2Y-T Abracon晶振 ABLSG MHz Crystal 9.216MHz
ABLSG-5.000MHZ-D2Y-T Abracon晶振 ABLSG MHz Crystal 5MHz
ABM3B-25.000MHZ-D2Y-T Abracon晶振 ABM3B MHz Crystal 25MHz
ABS07AIG-32.768KHZ-6-D-T Abracon晶振 ABS07AIG kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz
ABM8AIG-16.000MHZ-12-2Z-T3 Abracon晶振 ABM8AIG MHz Crystal 16MHz
ABM8AIG-33.000MHZ-12-2Z-T3 Abracon晶振 ABM8AIG MHz Crystal 33MHz
ABM8AIG-24.576MHZ-12-2Z-T3 Abracon晶振 ABM8AIG MHz Crystal 24.576MHz
ABM10AIG-20.000MHZ-4Z-T3 Abracon晶振 ABM10AIG MHz Crystal 20MHz
ABM8AIG-12.288MHZ-12-2Z-T3 Abracon晶振 ABM8AIG MHz Crystal 12.288MHz
ABM10AIG-26.000MHZ-4Z-T3 Abracon晶振 ABM10AIG MHz Crystal 26MHz
ABM8AIG-19.6608MHZ-12-2Z-T3 Abracon晶振 ABM8AIG MHz Crystal 19.6608MHz
ABM10AIG-12.000MHZ-4Z-T3 Abracon晶振 ABM10AIG MHz Crystal 12MHz
ABLS-6.7458MHZ-20-R60-D-T Abracon晶振 ABLS(RF) MHz Crystal 6.7458MHz
ABM8AIG-18.432MHZ-12-2Z-T3 Abracon晶振 ABM8AIG MHz Crystal 18.432MHz
ABM8-16.384MHZ-B2-T Abracon晶振 ABM8 MHz Crystal 16.384MHz
ABLS-14.276430MHZ-10-J4Y-T Abracon晶振 ABLS MHz Crystal 14.27643MHz
ABM8AIG-20.000MHZ-12-2Z-T3 Abracon晶振 ABM8AIG MHz Crystal 20MHz
ABLS-13.54856MHZ-10-J4Y-T Abracon晶振 ABLS MHz Crystal 13.54856MHz
ABM8AIG-32.000MHZ-12-2Z-T3 Abracon晶振 ABM8AIG MHz Crystal 32MHz
ABM10AIG-24.576MHZ-4Z-T3 Abracon晶振 ABM10AIG MHz Crystal 24.576MHz
ABM10AIG-16.000MHZ-4Z-T3 Abracon晶振 ABM10AIG MHz Crystal 16MHz
ABM8AIG-40.000MHZ-12-2Z-T3 Abracon晶振 ABM8AIG MHz Crystal 40MHz
ABM8-14.31818MHZ-B2-T Abracon晶振 ABM8 MHz Crystal 14.31818MHz
ABLS-14.089190MHZ-10-J4Y-T Abracon晶振 ABLS MHz Crystal 14.08919MHz
ABM8-24.576MHZ-B2-T Abracon晶振 ABM8 MHz Crystal 24.576MHz
ABLS-13.4916MHZ-10-R20-D-T Abracon晶振 ABLS MHz Crystal 13.4916MHz
ABM8-40.000MHZ-B2-T Abracon晶振 ABM8 MHz Crystal 40MHz
ABS06-32.768KHZ-9-T Abracon晶振 ABS06 kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz
ABM7-20.000MHZ-B4-T Abracon晶振 ABM7 MHz Crystal 20MHz
ABM11-32.000MHZ-D2X-T3 Abracon晶振 ABM11 MHz Crystal 32MHz
ABM11-40.000MHZ-D2X-T3 Abracon晶振 ABM11 MHz Crystal 40MHz
ABM11-25.000MHZ-D2X-T3 Abracon晶振 ABM11 MHz Crystal 25MHz
ABM11-30.000MHZ-D2X-T3 Abracon晶振 ABM11 MHz Crystal 30MHz
ABM8G-27.000MHZ-4Y-T3 Abracon晶振 ABM8G MHz Crystal 27MHz
ABM8G-14.7456MHZ-4Y-T3 Abracon晶振 ABM8G MHz Crystal 14.7456MHz
ABM8G-14.31818MHZ-4Y-T3 Abracon晶振 ABM8G MHz Crystal 14.31818MHz
ABM11-28.63636MHZ-D2X-T3 Abracon晶振 ABM11 MHz Crystal 28.63636MHz
ABM11-36.000MHZ-D2X-T3 Abracon晶振 ABM11 MHz Crystal 36MHz
ABM11-44.000MHZ-D2X-T3 Abracon晶振 ABM11 MHz Crystal 44MHz
ABM11-48.000MHZ-D2X-T3 Abracon晶振 ABM11 MHz Crystal 48MHz
ABM8G-22.1184MHZ-4Y-T3 Abracon晶振 ABM8G MHz Crystal 22.1184MHz
ABM8G-48.000MHZ-4Y-T3 Abracon晶振 ABM8G MHz Crystal 48MHz
ABM8G-13.560MHZ-4Y-T3 Abracon晶振 ABM8G MHz Crystal 13.56MHz
ABLS-14.31818MHZ-K4T Abracon晶振 ABLS MHz Crystal 14.31818MHz
ABLS-4.9152MHZ-K4T Abracon晶振 ABLS MHz Crystal 4.9152MHz
ABLS-3.579545MHZ-K4T Abracon晶振 ABLS MHz Crystal 3.579545MHz
ABLS-18.432MHZ-K4T Abracon晶振 ABLS MHz Crystal 18.432MHz
ABLS-11.0592MHZ-K4T Abracon晶振 ABLS MHz Crystal 11.0592MHz
ABLS-9.8304MHZ-K4T Abracon晶振 ABLS MHz Crystal 9.8304MHz
ABLS-3.6864MHZ-K4T Abracon晶振 ABLS MHz Crystal 3.6864MHz
ABLS-13.000MHZ-K4T Abracon晶振 ABLS MHz Crystal 13MHz
ABLS-16.000MHZ-K4T Abracon晶振 ABLS MHz Crystal 16MHz
ABLS-7.3728MHZ-K4T Abracon晶振 ABLS MHz Crystal 7.3728MHz
ABLS-24.576MHZ-K4F-T Abracon晶振 ABLS MHz Crystal 24.576MHz
ABLS-26.000MHZ-K4F-T Abracon晶振 ABLS MHz Crystal 26MHz
ABLS-20.000MHZ-K4T Abracon晶振 ABLS MHz Crystal 20MHz
ABLS-14.7456MHZ-K4T Abracon晶振 ABLS MHz Crystal 14.7456MHz
ABLS-22.1184MHZ-K4T Abracon晶振 ABLS MHz Crystal 22.1184MHz
ABM11AIG-27.000MHZ-4Z-T3 Abracon晶振 ABM11AIG MHz Crystal 27MHz
ABM11AIG-32.000MHZ-4Z-T3 Abracon晶振 ABM11AIG MHz Crystal 32MHz
通过精心设计电极图案,以及使用最先进的小尺寸陶瓷封装,可以很好地控制C0的值。然而,ESR和CL提出了一个独特的挑战。这两个参数具有发散依赖性,这意味着随着CL的降低,ESR趋于上升,因此净影响趋于持平或恶化。

随着最新几何fpga、微控制器、微处理器、ASSP等器件中固有gm值的显著降低,这一挑战进一步加剧。例如,基于14nm节点的低能量微控制器为32.768kHz嵌入式振荡器环路指定了低至2.7μ A/V的gm值。

让我们举例说明在32.768kHz振荡器环路中,在固定GM和C0值下,在音叉,32.768K晶振的ESR方差上,不同电镀负载对闭环增益裕度(GM)的影响。

Abracon在开发其ABS06W和ABS07W系列音叉晶体时考虑了上述指定的变量,分别为2.0×1.2×0.6mm和3.2×1.5×0.9mm。
为了实现最佳的电路性能,Abracon晶振优化了电极图案,以减少C0的整体影响,因此,在2.0×1.2×0.6mm封装中,最大保证(电极+封装)电容为2.0pF,在3.2×1.5×0.9mm封装中,最大保证电容为1.30pF。凭借革命性的空白设计和加工技术,Abracon能够在-40°C至+125°C的扩展工作温度范围内大幅降低这些解决方案的ESR;同时将电镀负载降低到业界领先的3.0pF。

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